Pamięć toru wyścigowego (RM) to rodzaj pamięci komputerowej, która ma wiele zalet w porównaniu z pamięcią półprzewodnikową. Moduł pamięci toru wyścigowego wykorzystuje wiele nanoprzewodów z wieloma głowicami odczytu/zapisu; druty i głowice mogą być wykonane w formie siatki lub w kształcie dużej litery U. Niezależnie od projektu, RM działa poprzez przesuwanie bitów i zbieranie informacji za pomocą głowic do odczytu/zapisu. Jedną z głównych korzyści jest to, że RM oferuje znacznie większą pojemność pamięci niż jednostki pamięci półprzewodnikowej. Ma to również na celu zmniejszenie ilości energii zużywanej do rozruchu i zasilania komputera, ograniczając w ten sposób koszty operacyjne dla firm i obszarów, w których używana jest duża liczba komputerów.
Do budowy pamięci toru wyścigowego wykorzystano dość proste materiały. Istnieją nanoprzewody, które przechowują i przesuwają bity pamięci oraz głowice odczytująco-zapisujące do zbierania informacji. W 2011 roku dostępne są dwa wzory: kratka i kształt litery U. Siatka potrzebuje więcej miejsca, ale jest szybsza, podczas gdy kształt litery U zmniejsza rozmiar RM. Chociaż kształt litery U wymaga więcej energii, obie jednostki pamięci mają mniej więcej taką samą przepustowość, dzięki czemu oba projekty są efektywne.
Aby pamięć toru wyścigowego działała, musi istnieć prąd elektryczny, który porusza bity. Kiedy pamięć wchodzi do RM, prąd przesuwa bity po torze wyścigowym, potoczna nazwa nanoprzewodów. Gdy nanodruty przesyłają dane, głowice odczytująco-zapisujące pobierają bity i zmieniają swoją domenę, aby można było zapisać informacje. W przeciwieństwie do pamięci półprzewodnikowej, RM ma lepszą gęstość, która pozwala na zalewanie systemu pamięci większą ilością pamięci i bitów.
Jednym z głównych celów każdego urządzenia pamięci jest przechowywanie ogromnych ilości informacji. Jeśli chodzi o pamięć toru wyścigowego, może pomieścić około 100,000 XNUMX razy więcej pamięci niż systemy pamięci półprzewodnikowej. Umożliwia to szybsze działanie aplikacji, szybsze przechowywanie pamięci i odczytywanie złożonych danych w ułamku sekundy. Uruchamianie jest również szybsze, ponieważ pamięć półprzewodnikowa wymaga od dwóch do trzech minut na pełne uruchomienie, podczas gdy RM potrzebuje tylko kilku sekund.
Innym celem pamięci toru wyścigowego jest zmniejszenie zużycia energii, aby umożliwić firmom korzystanie z dużej liczby komputerów. W przypadku pamięci półprzewodnikowej energia jest potrzebna tylko po to, aby pamięć była aktywna i świeża. RM będzie również potrzebował energii do przechowywania pamięci, ale będzie wymagał 300 razy mniej energii, znacznie zmniejszając niezbędną ilość energii elektrycznej.